买卖IC网 >> 产品目录 >> NE25118-T1-U73 射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

NE25118-T1-U73

库存数量：可订货
制造商：NEC/CEL
描述：射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述 射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET
NE25118-T1-U73 PDF下载
制造商 NEC/CEL
技术类型 MESFET
频率 0.9 GHz
增益 20 dB
噪声系数 1.1 dB
正向跨导 gFS（最大值/最小值） 25 mS
漏源电压 VDS 13 V
闸/源击穿电压 - 4.5 V
漏极连续电流 20 mA
最大工作温度 + 125 C
功率耗散 120 mW
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOT-343
相关资料
属性
链接
代理商 NE25118-T1-U73
NE25118-U73
NE25139-T1
NE25139-T1-U72
NE25139-T1-U73
NE25339-T1
供应商
公司名
电话
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  • NE25118-T1-U73 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价